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证券日报刊文指出，近日，有消息称，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。此前，国家知识产权局公布了一项华为新的专利“反射镜、光刻装置及其控制方法”，在极紫外线光刻机核心技术上取得突破性进展。

近年来，美国、荷兰、日本先后对光刻机等半导体制造设备出口进行限制，以上消息意味着，国产28nm光刻机将在夹缝中成功实现突围，是我国光刻机领域的重大突破。虽然与阿斯麦顶尖的EUV光刻机仍有差距，但28nm仍然是当下半导体制造的主流工艺。

事实上，28nm光刻机和28nm芯片是不同的，28nm光刻机意味着单次曝光就可以直接生产28nm芯片，如果使用套刻精度在1.9nm左右的工作台，在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产。如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台 (1.7nm)，在多重曝光下更是能够实现7nm制程工艺的芯片生产。

近年来，多家A股上市公司已经进入到光刻机全球产业链各环节之中，有望受益于国产光刻机的突破，包括光刻机光源系统厂商福晶科技，物镜系统厂商奥普光电，涂胶显影厂商芯源微、富创精密，光掩膜版厂商清溢光电、华润微，缺陷检测厂商精测电子，光刻胶厂商南大光电、容大感光，光刻气体厂商雅克科技、华特气体等。

除光刻机外，近年来，我国其他半导体设备的国产化率也在逐步提升，国产替代节奏在加快。整体来看，我国去胶设备、清洗设备、CMP设备、热处理设备、刻蚀设备国产化率较高，达到20%以上，薄膜沉积设备、光刻设备和离子注入设备国产化率仍较低，但已实现初步卡位。

半导体材料方面，历经多年发展，中国已实现了大多数半导体材料的布局或量产，但是从整体来看中国半导体材料国产化率大约只有15%。其中电子特气、硅片、靶材、湿电子化学品、CMP抛光液等领域国产化率已经达到10%以上，但在高端光刻胶、CMP抛光垫等领域进展较慢。

那么从市场份额来看，哪些半导体设备或材料所占份额更高？哪些半导体设备或材料国产化进程更快？空间更大？核心代表公司有哪些？除国产替代外，半导体产业的投资逻辑还有哪些？我们梳理了半导体产业的投资逻辑，重点关注了半导体设备和材料相关投资机会，制作了《半导体：周期反转+国产替代加速破局》以及《半导体设备国产化砥砺前行》两篇专题报告，有需要的小伙伴，欢迎免费索取。